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MT46V32M16FN-75:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：带卷 (TR)

MT46V32M16FN-75:C TR供应商

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MT46V32M16BN-6:F TR
存储器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA
SMBJ300CA
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB DIODE TVS 300V 600W BIDIR 5% SMB
STT3PF30L
FET - 单 STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
SMCJ14CA-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1500W 14V SMC
SUD50N10-18P-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V DPAK
MT29F256G08CMCABH2-12:A
存储器 Micron Technology Inc 100-TBGA IC FLASH NAND 256GB 100TBGA
MSP430F2617TPN
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 80-LQFP IC MCU 16BIT 92K FLASH 80-LQFP
SMBJ30A
TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AA，SMB DIODE TVS 30V 600W UNI 5% SMD
STTA3006P
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics SOD-93-2 DIODE ULT FAST 600V 2X30A SOD93
MT29F2G08AADWP:D TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 2GBIT 48TSOP
SUD50N10-18P-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V DPAK
MSP430F2618TPMR-NM
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC MCU 16BIT 116KB FLASH 64LQFP
SMBJ30A-TR
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 30V UNIDIR SMB
SMCJ150A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 150V 1500W UNI 5% SMC
STTA506B
单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 DIODE TURBO 5A 600V DPAK